IRFL4315TRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package SOT-223
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185 mOhm @ 1.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFL4105 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5323
IRFL4105 MOS IR CIs Calientes Especializados 24690
IRFL4105PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2732
IRFL4105PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFL4105TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5345
IRFL4105TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5281
IRFL4105TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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