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IRFL1006PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-223
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 1.6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
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Otros incluyen   "IRFL1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFL1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFL1006 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1251
IRFL1006 N IR CIs Calientes Especializados 30500
IRFL1006NTR IR CIs Calientes Especializados 4500
IRFL1006NTRPBF VB CIs Calientes Especializados 5000
IRFL1006TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2729
IRFL1006TRPBF IR CIs Calientes Especializados 12316
IRFL1006TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 12106
IRFL110 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5396
IRFL110 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12492
IRFL110 N IR CIs Calientes Especializados 30500

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