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IRFI4510GPBF
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IRFI4510GPBF Especificaciones técnicas
MOSFET N CH 100V 35A TO220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-220AB Full-Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 21A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2998pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'IRFI4'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFI4019H | IR | CIs Calientes Especializados | 82 |
IRFI4019H-117P | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2260 |
IRFI4019H-117P | Infineon Technologies | Matrices de transistores MOSFETs | |
IRFI4019H-117P MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 263 |
IRFI4019H-117P/IRFI4019HG-117P | IR | CIs Calientes Especializados | 10273 |
IRFI4019HG | IR | CIs Calientes Especializados | 2693 |
IRFI4019HG-117P | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2258 |
IRFI4019HG-117P | Infineon Technologies | Matrices de transistores MOSFETs | |
IRFI4019HG-117P MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 8271 |
IRFI4020H-117P | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 676 |
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