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IRFI1310NPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 56W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB Full-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 13A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
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Otros incluyen   "IRFI1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFI1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFI1010GPBF VB CIs Calientes Especializados 5000
IRFI1010N IR CIs Calientes Especializados 3
IRFI1010NPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5044
IRFI1010NPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFI1310 IR CIs Calientes Especializados 6300
IRFI1310G IR CIs Calientes Especializados 10700
IRFI1310GPBF VB CIs Calientes Especializados 10000
IRFI1310N International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 841
IRFI1310NPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFI1310NPBF. IR CIs Calientes Especializados 62

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