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IRFHM8363TR2PBF Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Series HEXFET®
Power - Max 2.7W
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1165pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Las siguientes partes incluyen  'IRFHM' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFHM3911 IR CIs Calientes Especializados 50232
IRFHM3911TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1960
IRFHM3911TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFHM4226TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4212
IRFHM4226TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFHM4231TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 126103
IRFHM4231TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFHM4231TRPBF MOS IR CIs Calientes Especializados 51495
IRFHM4234TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 43376
IRFHM4234TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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