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IRFHM830DTR2PBF
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IRFHM830DTR2PBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
Supplier Device Package | PQFN (3x3) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1797pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 37W (Tc) |
Package / Case | 8-VQFN Exposed Pad |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 40A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFHM3911 | IR | CIs Calientes Especializados | 50232 |
IRFHM3911TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1960 |
IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFHM4226TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4212 |
IRFHM4226TRPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFHM4231TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 126103 |
IRFHM4231TRPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFHM4231TRPBF MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 51495 |
IRFHM4234TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 43376 |
IRFHM4234TRPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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