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IRFH8318TR2PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package PQFN (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3180pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Ta), 120A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFH8201PBF IR CIs Calientes Especializados 528
IRFH8201TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4582
IRFH8201TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFH8201TRPBF IC IR CIs Calientes Especializados 637
IRFH8202TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2540
IRFH8202TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFH8303PBF IR CIs Calientes Especializados 44
IRFH8303TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 15926
IRFH8303TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFH8307TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23141

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