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IRFH5210TR2PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Supplier Device Package PQFN (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9 mOhm @ 33A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2570pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 55A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFH5004 IR CIs Calientes Especializados 1352
IRFH5004TR2PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10482
IRFH5004TR2PBF. IR CIs Calientes Especializados 326
IRFH5004TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20252
IRFH5004TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFH5004TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 592
IRFH5006PBF IR CIs Calientes Especializados 523
IRFH5006TR2PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10598
IRFH5006TR2PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFH5006TR2PBF. IR CIs Calientes Especializados 11600

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