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IRFB4410ZGPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 230W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 58A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4820pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 97A (Tc)
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Otros incluyen   "IRFB4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFB4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFB4019 IR CIs Calientes Especializados 1366
IRFB4019PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5375
IRFB4019PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFB4019PBF MOS IR CIs Calientes Especializados 348
IRFB4020 IR CIs Calientes Especializados 1362
IRFB4020PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1480
IRFB4020PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFB4030 IR CIs Calientes Especializados 2596
IRFB4103 IR/VISHAY CIs Calientes Especializados 19000
IRFB4103PBF IR CIs Calientes Especializados 6820

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