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IRFB4227PBF
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IRFB4227PBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 330W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 46A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'IRFB4'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFB4019 | IR | CIs Calientes Especializados | 1366 |
IRFB4019PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5375 |
IRFB4019PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFB4019PBF MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 348 |
IRFB4020 | IR | CIs Calientes Especializados | 1362 |
IRFB4020PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1480 |
IRFB4020PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRFB4030 | IR | CIs Calientes Especializados | 2596 |
IRFB4103 | IR/VISHAY | CIs Calientes Especializados | 19000 |
IRFB4103PBF | IR | CIs Calientes Especializados | 6820 |
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