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IRFB3256PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 75A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6600pF @ 48V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
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Otros incluyen   "IRFB3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRFB3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFB3004 IR CIs Calientes Especializados 25367
IRFB3004G IR CIs Calientes Especializados 18829
IRFB3004GPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2746
IRFB3004PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25345
IRFB3004PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFB3004PBF MOS IR CIs Calientes Especializados 660
IRFB3006 IR CIs Calientes Especializados 32629
IRFB3006G IR CIs Calientes Especializados 32764
IRFB3006GPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 505
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