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IRFB23N20DPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 14A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1960pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFB20N50K IR CIs Calientes Especializados 1219
IRFB20N50KPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2960
IRFB20N50KPBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2423
IRFB20N50KPBF IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 21210
IRFB20N50KPBF MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 1337
IRFB23N15D IR CIs Calientes Especializados 18641
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IRFB23N15DPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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