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IRF9Z34NSTRLPBF Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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IRF9Z10PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6246
IRF9Z10PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6246
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