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IRF8915TR Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series HEXFET®
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.9A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Otros incluyen   "IRF89"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRF89' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF8910 IR CIs Calientes Especializados 1123
IRF8910G IR CIs Calientes Especializados 2793
IRF8910GPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 627
IRF8910GPBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF8910GTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 830
IRF8910GTRPBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF8910GTRPBF MOS IR CIs Calientes Especializados 5641
IRF8910GTRPBF. IR CIs Calientes Especializados 2511
IRF8910PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 5346
IRF8910PBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs

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