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IRF8308MTR1PBF
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IRF8308MTR1PBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 27A MX
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Supplier Device Package | DIRECTFET™ MX |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 27A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4404pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Package / Case | DirectFET™ Isometric MX |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 150A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'IRF83'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF830 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 25373 |
IRF830 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 25384 |
IRF830 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2499 |
IRF830 IC | IR | CIs Calientes Especializados | 949 |
IRF830 MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 571 |
IRF830-HF MOS | APEC | CIs Calientes Especializados | 88722 |
IRF8301MTRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5000 |
IRF8301MTRPBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRF8302MTR1PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2766 |
IRF8302MTRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 56198 |
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