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IRF8252TRPBF-1
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IRF8252TRPBF-1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 25V 25A
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 25A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5305pF @ 13V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
IRF8252TRPBF-1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IRF8252TRPBF-1
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Hojas de datos
IRF8252TRPBF-1.pdf
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Las siguientes partes incluyen 'IRF82'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF820 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 88731 |
IRF820 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12450 |
IRF820 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 88494 |
IRF820 IC | IR | CIs Calientes Especializados | 1727 |
IRF820* | IR | CIs Calientes Especializados | 2538 |
IRF820. | ST | CIs Calientes Especializados | 1398 |
IRF820A | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 91799 |
IRF820A | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 91799 |
IRF820AL | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2593 |
IRF820AL | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2716 |
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