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IRF8113GTRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2910pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.2A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF8113 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1199
IRF8113 MOS IR CIs Calientes Especializados 21313
IRF8113GPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3934
IRF8113PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2759
IRF8113PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF8113TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23530
IRF8113TR MOS IR CIs Calientes Especializados 10694
IRF8113TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3480219
IRF8113TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF8113TRPBF MOS IRF CIs Calientes Especializados 3129

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