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IRF7910TRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Series HEXFET®
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 8A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 6V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF7901D1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 1301
IRF7901D1 Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF7901D1(black) IR CIs Calientes Especializados 105072
IRF7901D1(white) IR CIs Calientes Especializados 26230
IRF7901D1PBF IR CIs Calientes Especializados 459
IRF7901D1TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2304
IRF7901D1TR Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF7901D1TR MOS IR CIs Calientes Especializados 2966
IRF7901D1TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 404
IRF7901D1TRPBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs

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