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IRF7902PBF Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA
Series HEXFET®
Power - Max 1.4W, 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.4A, 9.7A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF7901D1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 1301
IRF7901D1 Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF7901D1(black) IR CIs Calientes Especializados 105072
IRF7901D1(white) IR CIs Calientes Especializados 26230
IRF7901D1PBF IR CIs Calientes Especializados 459
IRF7901D1TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2304
IRF7901D1TR Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF7901D1TR MOS IR CIs Calientes Especializados 2966
IRF7901D1TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 404
IRF7901D1TRPBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs

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