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IRF7832Z Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3860pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF7805 IR CIs Calientes Especializados 1994
IRF7805/ZTRPBF IOR CIs Calientes Especializados 35400
IRF7805A International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3761
IRF7805APBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23823
IRF7805ATR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3123
IRF7805ATRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23430
IRF7805ATRPBF. IR CIs Calientes Especializados 18600
IRF7805PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2592
IRF7805PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF7805PBF MOS IR CIs Calientes Especializados 2284

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