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IRF7759L2TRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DIRECTFET L8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 96A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12222pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Ta), 375A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF7700 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3897
IRF7700GTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2500
IRF7700TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2548
IRF7700TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4000
IRF7701 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 24000
IRF7701GTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
IRF7701TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8465
IRF7701TR MOS IR CIs Calientes Especializados 2550
IRF7701TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4303
IRF7701TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 8500

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