IRF7506TR Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series HEXFET®
Power - Max 1.25W
Package / Case 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Micro8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 1.2A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF7501 IR CIs Calientes Especializados 1292
IRF7501PBF IR CIs Calientes Especializados 1477
IRF7501TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2407
IRF7501TR Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF7501TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 6183
IRF7501TRPBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF7503 IR CIs Calientes Especializados 2966
IRF7503PBF IR CIs Calientes Especializados 2418
IRF7503TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3483
IRF7503TR Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs

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