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IRF7478PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 4.2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1740pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF740 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3224
IRF740 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2203
IRF740 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3183
IRF740 MOS IR CIs Calientes Especializados 337
IRF7401 IR CIs Calientes Especializados 517
IRF7401 MOS IR CIs Calientes Especializados 22357
IRF7401/TSM7401 Original CIs Calientes Especializados 37900
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IRF7401TR IR CIs Calientes Especializados 5244
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