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IRF6893MTR1PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 25V 29A MX

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 29A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3480pF @ 13V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Ta), 168A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF6802SDTR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2719
IRF6802SDTR1PBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF6802SDTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3184
IRF6802SDTRPBF Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
IRF6810STR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2797
IRF6810STRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4491
IRF6810STRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF6810STRPBF. IR CIs Calientes Especializados 28683
IRF6811STR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2684
IRF6811STRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5455

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