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IRF6665TRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Package / Case DirectFET™ Isometric SH
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DIRECTFET™ SH
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta), 19A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF6601 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2510
IRF6602 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3442
IRF6603 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1591
IRF6603TR IOR CIs Calientes Especializados 3219
IRF6603TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2697
IRF6603TRPBF IRF CIs Calientes Especializados 17939
IRF6604 IRF CIs Calientes Especializados 19394
IRF6604TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1341
IRF6604TR1 IC INTEGRATION CIs Calientes Especializados 1409
IRF6604TR1 MOS IR CIs Calientes Especializados 976

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