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IRF6665TR1PBF
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IRF6665TR1PBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | DIRECTFET™ SH |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
Package / Case | DirectFET™ Isometric SH |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'IRF66'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF6601 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2510 |
IRF6602 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3442 |
IRF6603 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1591 |
IRF6603TR | IOR | CIs Calientes Especializados | 3219 |
IRF6603TR1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2697 |
IRF6603TRPBF | IRF | CIs Calientes Especializados | 17939 |
IRF6604 | IRF | CIs Calientes Especializados | 19394 |
IRF6604TR1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1341 |
IRF6604TR1 IC | INTEGRATION | CIs Calientes Especializados | 1409 |
IRF6604TR1 MOS | IR | CIs Calientes Especializados | 976 |
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