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IRF6629TR1PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 29A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4260pF @ 13V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Ta), 180A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF6601 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2510
IRF6602 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3442
IRF6603 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1591
IRF6603TR IOR CIs Calientes Especializados 3219
IRF6603TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2697
IRF6603TRPBF IRF CIs Calientes Especializados 17939
IRF6604 IRF CIs Calientes Especializados 19394
IRF6604TR1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1341
IRF6604TR1 IC INTEGRATION CIs Calientes Especializados 1409
IRF6604TR1 MOS IR CIs Calientes Especializados 976

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