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IRF630NSPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 5.4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 82W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.3A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF630 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1376
IRF630 MOS ST CIs Calientes Especializados 533
IRF630. IR CIs Calientes Especializados 749
IRF630/FP ST CIs Calientes Especializados 838
IRF6305TRL IR CIs Calientes Especializados 1480
IRF630A FAIRCHI CIs Calientes Especializados 645
IRF630A MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 563
IRF630APBF VB CIs Calientes Especializados 10437
IRF630B FSC CIs Calientes Especializados 21760
IRF630B MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 336

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