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IRF6216PBF Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 1.3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1280pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
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Otros incluyen   "IRF62"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRF62' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF620 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 78054
IRF620 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 77933
IRF620 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2267
IRF620 SEC SEC CIs Calientes Especializados 1103
IRF6201PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2690
IRF6201TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 80413
IRF6201TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF6201TRPBF. IR CIs Calientes Especializados 3400
IRF620A IR CIs Calientes Especializados 2671
IRF620B Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 695

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