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IRF60B217
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IRF60B217 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V 60A
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 50µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | StrongIRFET™ |
Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 36A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IRF60" partes
Las siguientes partes incluyen 'IRF60'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF60B217 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRF60DM206 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4025 |
IRF60DM206 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IRF60DM206 MOSFETIGBTIC | IR | CIs Calientes Especializados | 2948 |
IRF60N06 | ST | CIs Calientes Especializados | 2652 |
IRF60R217 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12000 |
IRF60R217 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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