IRF5810TRPBF Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Series HEXFET®
Power - Max 960mW
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 16V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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IRF5800PBF IR CIs Calientes Especializados 3900
IRF5800TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3704
IRF5800TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 187655
IRF5800TRPBF IC IR CIs Calientes Especializados 1520
IRF5801TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1456
IRF5801TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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