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IRF5806 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package Micro6™(TSOP-6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 86 mOhm @ 4A, 4.5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 594pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.4nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF5800 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2763
IRF5800PBF IR CIs Calientes Especializados 3900
IRF5800TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3704
IRF5800TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 187655
IRF5800TRPBF IC IR CIs Calientes Especializados 1520
IRF5801TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1456
IRF5801TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF5801TRPBF IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 6003
IRF5801TRPBF MOS IR CIs Calientes Especializados 512
IRF5802 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2535

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