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IRF5803D2 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112 mOhm @ 3.4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FETKY™
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF5800 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2763
IRF5800PBF IR CIs Calientes Especializados 3900
IRF5800TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3704
IRF5800TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 187655
IRF5800TRPBF IC IR CIs Calientes Especializados 1520
IRF5801TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1456
IRF5801TRPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF5801TRPBF IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 6003
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