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IRF4104S Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 75A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF4104 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 58743
IRF4104 MOS IR CIs Calientes Especializados 525
IRF4104G IR CIs Calientes Especializados 18757
IRF4104GPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2661
IRF4104GTRPBF VB CIs Calientes Especializados 500
IRF4104L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1990
IRF4104LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2672
IRF4104PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2766
IRF4104PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF4104PBF. IR CIs Calientes Especializados 11048

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