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IRF3711PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2980pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IRF37' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF3703 IR CIs Calientes Especializados 78812
IRF3703PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9807
IRF3703PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF3704 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6156
IRF3704 MOS IR CIs Calientes Especializados 725
IRF3704L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2767
IRF3704LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2680
IRF3704PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1521
IRF3704PBF. IR CIs Calientes Especializados 30
IRF3704S IR/VISHAY CIs Calientes Especializados 596

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