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IRF3710STRLPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 28A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3130pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 57A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF3703 IR CIs Calientes Especializados 78812
IRF3703PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9807
IRF3703PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF3704 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6156
IRF3704 MOS IR CIs Calientes Especializados 725
IRF3704L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2767
IRF3704LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2680
IRF3704PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1521
IRF3704PBF. IR CIs Calientes Especializados 30
IRF3704S IR/VISHAY CIs Calientes Especializados 596

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