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IRF3707ZCSPBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 21A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1210pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 57W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 59A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IRF37' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF3703 IR CIs Calientes Especializados 78812
IRF3703PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9807
IRF3703PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF3704 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6156
IRF3704 MOS IR CIs Calientes Especializados 725
IRF3704L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2767
IRF3704LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2680
IRF3704PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1521
IRF3704PBF. IR CIs Calientes Especializados 30
IRF3704S IR/VISHAY CIs Calientes Especializados 596

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