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IRF3315S Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
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Otros incluyen   "IRF33"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRF33' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF3300 QUALOMM CIs Calientes Especializados 704
IRF3303TR IR CIs Calientes Especializados 552
IRF3305 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 30055
IRF3305PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10377
IRF3314STRL Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2776
IRF3314STRL Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2602
IRF3314STRR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2550
IRF3315 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22527
IRF3315L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2562
IRF3315LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2741

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