IRF3000 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 960mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 730pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF3000PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9887
IRF3000TRPBF irf CIs Calientes Especializados 2745
IRF3006PBF IR CIs Calientes Especializados 2527
IRF3007 IR CIs Calientes Especializados 4956
IRF3007L IR CIs Calientes Especializados 2666
IRF3007L MOS IR CIs Calientes Especializados 2634
IRF3007PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37802
IRF3007PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF3007S IR CIs Calientes Especializados 33540
IRF3007S MOS IR CIs Calientes Especializados 7025

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