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IRF200P222 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series StrongIRFET™
Power Dissipation (Max) 556W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9820pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 182A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247AC
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247AC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6 mOhm @ 82A, 10V
Packaging Tube
Other Names SP001582092
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 203nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 182A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF2001 IR CIs Calientes Especializados 19
IRF2002 IR CIs Calientes Especializados 40
IRF200B211 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2517
IRF200B211 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF200P222 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF200P223 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2798
IRF200P223 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 28774
IRF200S234 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2744
IRF200S234 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF200S234 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 10312

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