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IRF1104L Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 100A TO-262

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-262
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 60A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 170W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IRF11' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF1104 IR CIs Calientes Especializados 10485
IRF1104LPBF IR CIs Calientes Especializados 4098
IRF1104LPBF MOS IR CIs Calientes Especializados 2255
IRF1104PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37998
IRF1104PBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRF1104S International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 24593
IRF1104S MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 1432
IRF1104STRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2708
IRF1104STRR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2771
IRF1123 TI CIs Calientes Especializados 592

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