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IRD3CH9DB6
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IRD3CH9DB6 Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.7V @ 10A |
Supplier Device Package | Die |
Reverse Recovery Time (trr) | 154ns |
Package / Case | Die |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 200nA @ 1200V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 10A |
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