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IPZ40N04S58R4ATMA1
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IPZ40N04S58R4ATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 8TDSON
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 10µA |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-32 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 771pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.7nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
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