IPZ40N04S58R4ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 8TDSON

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-32
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 771pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 34W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
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IPZ40N04S5-3R1 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5247
IPZ40N04S5-3R1 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2297
IPZ40N04S5-5R4 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 10248
IPZ40N04S5-8R4 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 33105
IPZ40N04S53R1ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2566
IPZ40N04S55R4ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2706
IPZ40N04S55R4ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPZ40N04S58R4ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPZ40N04S5L-2R8 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 497
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