IPW50R280CE Especificaciones técnicas

IPW50R280CE Infineon Technologies

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 92W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.6nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 4.2A, 13V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 773pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPW50R140CP International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1365
IPW50R140CP 5R140P International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 441
IPW50R140CP MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2792
IPW50R140CPFKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2524
IPW50R190CE International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2660
IPW50R190CEFKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2504
IPW50R190CEFKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPW50R199CP INFINEON CIs Calientes Especializados 725
IPW50R199CPFKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2694
IPW50R199CPFKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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