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IPU80R900P7AKMA1
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IPU80R900P7AKMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 110µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ P7 |
Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
Other Names | SP001633512 |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.2A, 10V |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 500V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 800V 6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
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