IPU50R1K4CEAKMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package PG-TO251-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 900mA, 13V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 178pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ CE
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPU50R1K4CE International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 304
IPU50R1K4CEBKMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2728
IPU50R2K0CEAKMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2740
IPU50R2K0CEBKMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2608
IPU50R2K0CEBKMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPU50R3K0CEAKMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2530
IPU50R3K0CEBKMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2640
IPU50R3K0CEBKMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPU50R950CE International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2595
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