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IPT60R080G7XTMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 490µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ G7
Power Dissipation (Max) 167W (Tc)
Package / Case 8-PowerSFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-HSOF-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 9.7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1640pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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