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IPT015N10N5ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Package / Case 8-PowerSFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 211nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-HSOF-8-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 150A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16000pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300A (Tc)
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