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IPSH4N03LA G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 25V 90A IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 40µA
Supplier Device Package PG-TO251-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 60A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPSH4N03LAG International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 306

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