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IPSA70R900P7SAKMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET COOLMOS 700V TO251-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 60µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ P7
Power Dissipation (Max) 30.5W (Tc)
Other Names IPSA70R900P7S SP001664790
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 400V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±16V
Supplier Device Package PG-TO251-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 1.1A, 10V
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 211pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 700V 6A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPSA70R1K2P7SAKMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2559
IPSA70R1K4CEAKMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2798
IPSA70R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPSA70R1K4P7SAKMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2605
IPSA70R2K0CEAKMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2509
IPSA70R2K0CEAKMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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